Vous le savez, Samsung est un immense conglomérat, avec à l’intérieur d’imposantes divisions – comme Samsung Foundry, les laboratoires dédiés à la fabrication de semi-conducteurs. Lors du Samsung Foundry Forum 2022, une conférence dédiée aux dernières avancées du fondeur, la firme explique comment elle compte encore repousser les performances et l’efficience énergétiques des semi-conducteurs avec ses derniers procédés de gravure 3 nm, mais aussi l’adoption du 2 nm puis de la gravure 1,4 nm.
Pour l’heure, Samsung Foundry grave déjà des puces en 3 nm selon le procédé SF3E. Cette finesse de gravure implique que les portes des transistors, dont la taille n’est que de quelques atomes, doivent être repensées pour éviter les fuites d’énergie, effets quantiques et autres problèmes liées à cette échelle. C’est pour cela que la firme a développé la technologie de GAA (Gate All Around) – qui modifie profondément la manière dont les transistors sont construits sur le wafer.
Samsung Foundry dévoile sa feuille de route pour la finesse de gravure des puces
En évitant les fuites et autres effets liés à cette échelle, Samsung prédit d’énormes gains en matière d’efficacité énergétique. Une seconde génération de puces 3 nm (SF3) sera produite dès 2024. Cette seconde génération aura des transistors 20% plus petits que la première génération 3 nm (SF3E), et pourrait déboucher sur des smartphones et PC portables encore plus endurants. La gravure 3 nm continuera d’être améliorée en parallèle d’autres nodes. Ainsi le procédé SF3P+, en production dès 2025, devrait encore réduire la taille des transistors, et les fuites d’énergie.
A côté de la gravure 3 nm, Samsung Foundry prévoit de lancer la production de pouces 2 nm dès 2025 – alors que son grand concurrent TSMC a lui aussi annoncé y travailler. Ce node représente une étape majeure pour Samsung, qui va adopter au passage la nouvelle technologie dite “backside power delivery”. Actuellement, alimentation et bus sont tous disposés du même côté du die. Mais avec ce nouveau design, tout ce qui concerne l’alimentation et la communication se fait de l’autre côté du morceau de silicium. Ce qui permet d’améliorer les performances générales.
Mais alors que l’on se rapproche du seuil symbolique du nanomètre, Samsung a également annoncé le développement d’un procédé de gravure 1,4 nm – avec la production des premières puce dès 2027. Pour l’heure, en revanche, la firme se montre peu avare de détails techniques sur les gains que permettront de réaliser ce nouveau node de gravure. Pour résumer, Samsung Foundry produit donc déjà des puces 3 nm SF3E, et lancera dès 2024 la production via le procédé 3 nm amélioré SF3.
En 2025, Samsung Foundry produira des puces 3 nm SF3P+ mais aussi les premières puces 2 nm (un procédé qui sera on imagine amélioré l’année suivante). Pour les puces gravées en 1,4 nm, il faudra en revanche attendre 2027.
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